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日本mikasa勻膠機MS-B150中國地區代理現貨!

日期:2024-08-30 13:04
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摘要:日本Mikasa為半導體制造工序提供支持的Mikasa備齊光刻膠涂布、勻膠機, 旋涂機,曝光、顯影、蝕刻。旋涂?jì)x、旋涂機、甩膠機、Mikasa勻膠臺、旋轉涂膠機、旋轉涂膜機、旋轉涂層機、Mikasa旋轉涂布機、旋轉薄膜機、Mikasa旋轉涂覆儀、旋轉涂膜儀、Mikasa勻膜機。

日本mikasa勻膠機MS-B150中國代理現貨!

日本Mikasa為半導體制造工序提供支持的Mikasa備齊光刻膠涂布、曝光、顯影、蝕刻等半導體制造前段工序所需要的裝置后,提供一站式服務(wù)。另外,為旋轉涂膜儀的所有機型準備了替代用機,可在發(fā)生故障時(shí)盡早應對,且在銷(xiāo)售后提供快捷周到的售后服務(wù)。針對研究過(guò)程中所發(fā)生的一系列問(wèn)題,也可在現場(chǎng)提出解決建議。與客戶(hù)共同探討在哪個(gè)工序出現了問(wèn)題、應如何改進(jìn)等等,從而得出解決建議。Mikasa 作為一個(gè)可在半導體方面進(jìn)行共同商談的咨詢(xún)顧問(wèn)不僅銷(xiāo)售設備,而是為客戶(hù)半導體制造的整體工藝流程。將光刻膠(感光材料)涂抹到晶圓表面,形成厚度均一的薄膜。




日本MIKASA旋轉涂布機MS-A150/MS-B150產(chǎn)品規格:

*大電路板尺寸 φ6英寸晶圓或100×100mm基板
速度(轉/分) 20~7,000
旋轉精度 ±1轉/分(負載時(shí))
發(fā)動(dòng)機 交流伺服電機
丙烯酸
旋轉室直徑 φ290毫米
步進(jìn)模式數 100 步× 10 種模式
時(shí)間設置 999.9秒
**聯(lián)鎖 真空標準
蓋可選
滴水裝置 選擇
使用的真空壓力 -0.08~-0.1兆帕
權力 交流100~240V 5A
外部尺寸(毫米) 352W×303H×432D
重量 16公斤


日本Mikasa為半導體制造工序提供支持的Mikasa備齊光刻膠涂布、曝光、顯影、蝕刻等半導體制造前段工序所需要的裝置后,晶圓涂抹提供一站式服務(wù)。

日本Mikasa 半導體用設備 旋涂機。勻膠機

MS-B100

MS-B150

MS-B200

MS-B300

MS-B200

日本Mikasa半導體用設備 密閉型MS-B300

日本Mikasa半導體用設備 密閉型MA-20

MA-10B

MA-60F

M-2LF

M-1S

日本Mikasa半導體用設備

AD-1200

AD-3000

ED-1200


為半導體制造工序提供支持的Mikasa
備齊光刻膠涂布、曝光、顯影、蝕刻等半導體制造前段工序所需要的裝置后,提供一站式服務(wù)。另外,為旋轉涂膜儀的所有機型準備了替代用機,可在發(fā)生故障時(shí)盡早應對,且在銷(xiāo)售后提供快捷周到的售后服務(wù)。針對研究過(guò)程中所發(fā)生的一系列問(wèn)題,也可在現場(chǎng)提出解決建議。與客戶(hù)共同探討在哪個(gè)工序出現了問(wèn)題、應如何改進(jìn)等等,從而得出解決建議。Mikasa 作為一個(gè)可在半導體方面進(jìn)行共同商談的咨詢(xún)顧問(wèn),不僅銷(xiāo)售設備,而是為客戶(hù)半導體制造的整體工藝流程

晶圓→洗滌(**晶圓表面的臟污及各種金屬離子)→成膜(在高溫擴散爐中,形成表面氧化膜)→光刻膠涂布(將光刻膠(感光材料)涂抹到晶圓表面,形成厚度均一的薄膜)→曝光(將光掩膜與晶圓重合,復制電路圖案)→顯影(去除曝光部位(正膠)的光刻膠)→蝕刻(通過(guò)腐蝕氧化膜來(lái)蝕刻電路)

日本Mikasa為半導體制造工序提供支持的Mikasa備齊光刻膠涂布、勻膠機, 旋涂機,曝光、顯影、蝕刻。旋涂?jì)x、旋涂機、甩膠機、勻膠臺、旋轉涂膠機、旋轉涂膜機、旋轉涂層機、旋轉涂布機、旋轉薄膜機、旋轉涂覆儀、旋轉涂膜儀、勻膜機


日本mikasa勻膠機MS-B150中國代理現貨!


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