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產(chǎn)品展示
  • 利用獨自的高速描畫(huà)「Point Array方式」技術(shù)直接描畫(huà)圖形的裝置。 主要特長(cháng) 能夠用于研究開(kāi)發(fā)、試作、小批量生產(chǎn)等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優(yōu)異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開(kāi)發(fā)成本和縮短市場(chǎng)供應時(shí)間。 此外,還可以根據客戶(hù)需求,提供相應的裝置構造。
  • 利用獨自的高速描畫(huà)「Point Array方式」技術(shù)直接描畫(huà)圖形的裝置。 主要特長(cháng) 能夠用于研究開(kāi)發(fā)、試作、小批量生產(chǎn)等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優(yōu)異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開(kāi)發(fā)成本和縮短市場(chǎng)供應時(shí)間。 此外,還可以根據客戶(hù)需求,提供相應的裝置構造。
  • 利用獨自的高速描畫(huà)「Point Array方式」技術(shù)直接描畫(huà)圖形的裝置。 主要特長(cháng) 能夠用于研究開(kāi)發(fā)、試作、小批量生產(chǎn)等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優(yōu)異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開(kāi)發(fā)成本和縮短市場(chǎng)供應時(shí)間。 此外,還可以根據客戶(hù)需求,提供相應的裝置構造。
  • 主要特長(cháng) 直立配置掩膜臺/基板臺。不需補正由掩膜/掩膜臺/基板臺的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡(jiǎn)單，安定性高。 采用新型光學(xué)系統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過(guò)去的一半以下(與本公司裝置相比),可實(shí)現更高精度的圖形轉印。 完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。 為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統。
  • 主要特長(cháng) 直立配置掩膜臺/基板臺。不需補正由掩膜/掩膜臺/基板臺的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡(jiǎn)單，安定性高。 采用新型光學(xué)系統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過(guò)去的一半以下(與本公司裝置相比),可實(shí)現更高精度的圖形轉印。 完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。 為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統。
  • 主要特長(cháng) 直立配置掩膜臺/基板臺。不需補正由掩膜/掩膜臺/基板臺的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡(jiǎn)單，安定性高。 采用新型光學(xué)系統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過(guò)去的一半以下(與本公司裝置相比),可實(shí)現更高精度的圖形轉印。 完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。 為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統。(選購項) *大基板尺寸為1,200mm×1,400mm。通過(guò)獨自的光學(xué)系統實(shí)現了均勻的一次性曝光。 能夠裝載存放5張掩膜的掩膜存放庫
  • 主要特長(cháng) 能夠進(jìn)行節拍時(shí)間約20秒(標準規格機，對位容許值設定為0.5μm時(shí)。不含曝光時(shí)間。)的高速曝光處理。 利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統,能夠高速度和高精度地設定掩膜與基板間的近接間隙 。 可配置嚴格控制處理部位溫度環(huán)境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調控系統。 可選擇配置基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統，以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(
  • 主要特長(cháng) 能夠進(jìn)行節拍時(shí)間約20秒(標準規格機，對位容許值設定為0.5μm時(shí)。不含曝光時(shí)間。)的高速曝光處理。 利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統,能夠高速度和高精度地設定掩膜與基板間的近接間隙 。 可配置嚴格控制處理部位溫度環(huán)境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調控系統。 可選擇配置基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統，以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(
  • 主要特長(cháng) 能夠進(jìn)行節拍時(shí)間約20秒(標準規格機，對位容許值設定為0.5μm時(shí)。不含曝光時(shí)間。)的高速曝光處理。 利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統,能夠高速度和高精度地設定掩膜與基板間的近接間隙 。 可配置嚴格控制處理部位溫度環(huán)境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調控系統。 可選擇配置基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統，以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(選購項) 能夠裝載存放5張掩膜的掩膜存放庫
  • 非常適用于實(shí)驗?研發(fā)之用途。 緊湊型設計(600×600mm)，可在桌面上安裝使用。 搭載UV LED爆光燈房標準（有效曝光范圍φ4″）。 接觸式曝光模式（可支持其他的曝光模式，為選購項）。 完全手動(dòng)操作，價(jià)格公道合理。
  • 主要特長(cháng) 除近接曝光外，還可對應接觸曝光(軟接觸和硬接觸) 可對應幅度為500mm以上的大型膠片。 采用獨自的光學(xué)系統,可選擇單面曝光或雙面曝光。還能進(jìn)行一燈式雙面曝光。 裝載有自動(dòng)對位功能。通過(guò)特殊照明實(shí)現透明材料的對位。 除Roll to Roll外可設計枚葉式搬送等機構,根據客戶(hù)的需要構成裝置。 可選擇基板臺溫度控制及掩膜冷卻規格等。(選購項)
  • 主要特長(cháng) 采用獨自的鏡面?鏡頭光學(xué)系統,實(shí)現**均勻的照射。 配備有可設定非接觸?面內均一間隙的間隙傳感器和對應多層曝光的顯微鏡、X?Y?θ軸對位臺的對位系統。 采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微細移動(dòng))能夠控制厚膜光刻膠的側壁傾斜角度,形成三維微細構造體。
  • 產(chǎn)品信息實(shí)驗?研究用曝光裝置 簡(jiǎn)練設計的手動(dòng)式整面單次曝光裝置。 主要特長(cháng) 對應玻璃、Wafer、膠片等基材的實(shí)驗研究用手動(dòng)整面單次曝光機。也適合小批量生產(chǎn)。 可選擇接觸曝光(軟接觸、硬接觸)和近接曝光。 對應*大尺寸為500mm×500mm的基板。根據用途和基板尺寸,配置有*佳組合的光學(xué)系統。其中包括:超高壓水銀燈(500W?1kW?2kW?3.5kW)、各種光學(xué)鏡、特殊鏡頭、聚光鏡等
  • 主要特長(cháng) 能夠用于研究開(kāi)發(fā)、試作、小批量生產(chǎn)等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優(yōu)異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開(kāi)發(fā)成本和縮短市場(chǎng)供應時(shí)間。 此外,還可以根據客戶(hù)需求,提供相應的裝置構造。
  • 主要特長(cháng) 能夠用于研究開(kāi)發(fā)、試作、小批量生產(chǎn)等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優(yōu)異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開(kāi)發(fā)成本和縮短市場(chǎng)供應時(shí)間。 此外,還可以根據客戶(hù)需求,提供相應的裝置構造。
  • 主要特長(cháng) 搭載本公司開(kāi)創(chuàng )的鏡面光學(xué)系統爆光燈房（LAMP HOUSE）。從而實(shí)現了照射面內的均勻性以及高照度。 采用本公司開(kāi)創(chuàng )的同軸對位方式和高速圖像處理技術(shù), 從而實(shí)現了高精度對位。還支持IR方式和背面方式。 通過(guò)本公司開(kāi)創(chuàng )的光學(xué)式間隙傳感器，可在非接觸狀態(tài)下高速、精的設定掩膜和基板間的近接間隙。 搭載有掩膜更換機。*多可自動(dòng)更換20張掩膜。 *多可搭載3臺片倉（Load port）。
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