日本HORIBA堀場:計量學，HORIBA 的顆粒檢測和去除系統對于提高半導體光刻工藝的產能至關重要。

日本HORIBA堀場:計量學，HORIBA 的顆粒檢測和去除系統對于提高半導體光刻工藝的產能至關重要。

日本HORIBA堀場:顆粒檢測系統

半導體制程綜合顆粒檢測

For Semiconductor manufacturing processes, where the most advanced micro-fabrication techniques are used, quality management is a critical issue that directly impacts business.

It is important to constantly inspect for the presence of particle contamination. By making use of advanced analysis technologies, HORIBA provides cost effective leading-edge particle detection solution to semiconductor manufactures.

日本HORIBA堀場 薄膜分析

薄膜分析

Thin Film Analysis

日本HORIBA堀場 LEM Series

我們的實時干涉工藝監測儀可在蝕刻/沉積制程中對薄膜厚度和溝槽深度進行高精度檢測。根據應用的不同，LEM 攝像頭包含 670、905 或 980 nm 激光器，當安裝在任何干法蝕刻/沉積制程處理室上，直接俯視晶圓時，會在樣品表面產生小激光點。

單色光照射到樣品表面時會發生干涉，由于薄膜的厚度和高度變化，會導致不同的光程長度。
可實時監測蝕刻/沉積速率和厚度，也允許條紋計數或更復雜的分析，為各種工藝提供增強的制程控制終點檢測。此外，接口可通過其反射率的變化來檢測。

一般特征

由于采用干涉測量技術，LEM 攝像頭非常適合蝕刻/沉積速率監測、條紋計數和終點檢測，提供薄膜厚度和溝槽深度以及接口的高精度檢測。
LEM 攝像頭可以安裝在任何處理室上，直接俯視晶圓，并提供樣品表面的實時數字 CCD 圖像，使光斑定位更簡單。

GD-Profiler 2?輝光放電光譜儀

用輝光放電光譜儀去發現一個嶄新的信息世界

GD-Profiler 2? 可以快速、同時分析所有感興趣的元素，包括氣體元素N、O、H和Cl，是薄膜和厚膜表征和工藝研究的理想工具。

GD-Profiler 2? 配備的射頻源可在脈沖模式下對易碎樣品進行測試，廣泛應用于高校以及工業研究實驗室，其應用范圍有腐蝕研究、PVD 涂層工藝控制、PV 薄膜開發以及LED 質量控制等。

• 射頻發生器是 E 類標準，對穩定性和濺射坑形狀都進行了優化以滿足實時表面分析。

• 射頻源可以分析傳統和非傳統鍍層和材料，對于易碎樣品，還可以使用脈沖式同步采集優化測試。

• 從 110nm到 800nm 同步全光譜覆蓋，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。

• HORIBA 研發的離子刻蝕型全息光柵具有高的光通量和光譜分辨率，光學效率和靈敏度都表現優良。

• HDD 探測器兼具檢測速度和靈敏度。

• 內置的微分干涉儀DIP可實時測量濺射坑深度和剝蝕速率。

• 寬敞簡潔的大樣品倉易于裝卸樣品，操作簡單。

• QUANTUM? 軟件配置了Tabler 報告編寫工具。

• **激光中心定位裝置（**號：Fr0107986/國際**種類：G01N 21/67）可定位樣品測試位置。

 HORIBA 的輝光放電光譜儀可以選配單色儀，實現n+1元素通道的同時也提高了設備的靈活性。

• 輝光源結合超快速、高分辨的同步光學器件，可對導體、非導體和復合材料進行快速元素深度剖析。

• 適用于薄膜和厚膜——從納米到數百微米，且具有納米級深度分辨率。

• 典型應用領域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蝕研究、有機和微電子、材料研發、沉積工藝優化、PVD、CVD、等離子涂層、汽車、鋰電池等。

• 不需要超高真空。

• 使用高動態探測器可以測量所有感興趣的元素（包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等）。

• 可選附件單色儀配備的也是高動態探測器，可在image模式下做全譜掃描，極大的增加了設備的靈活性。

• 脈沖式射頻源，可選擇在常規射頻模式和脈沖式射頻模式下工作，且可全自動匹配。

• 輝光源采用差速雙泵真空系統，可為SEM制備樣品。

• 內置等離子清洗功能。

• 超快速濺射模式UFS可快速分析聚合物和有機材料。

• 內置的微分干涉儀DIP，可直接在線測定深度。

• 用于異形樣品測試的各種銅陽極和附件。

• Windows 10 軟件 – 為遠程安裝提供多個副本

應用：

脈沖式射頻GD-OES分析含有金屬和金屬氧化物納米顆粒的薄膜

HORIBA Scientific 是法國研究項目的合作伙伴，在同一個腔室中將納米粒子噴霧耦合到 PVD 生長層上。許多關于這類新材料的研究都使用脈沖式射頻 GD-OES 來分析顆粒的深度分布和復合層的厚度。

脈沖式射頻 GD-OES表征鋰電池電極的特點和優勢。

鋰電池是一種可充電電池，通過鋰離子在陽極和陰極之間遷移，產生電流。無論您是研究新電極、涂層行為、充電和放電過程、過程控制，還是對鋰電池進行性能比較研究，脈沖式射頻GD-OES都是有價值的測試工具。

日本HORIBA堀場  RP-1

光罩/掩膜顆粒去除設備

RP-1 通過空氣（或 N2）和真空抽吸自動去除光罩/掩膜上的顆粒。在光刻工藝前定期去除顆?？裳娱L薄膜的更換周期和掩膜的清洗周期，從而降低運行成本。

制造商: HORIBA, Ltd.

• 減少操作人員的日常工作，防止人為損壞薄膜
• 消除人工操作，防止靜電放電損壞
• 在光罩存儲設備中存儲掩膜的前后去除顆粒，可以延長掩膜壽命
• 結合 PR-PD 系列光罩/掩膜顆粒檢測系統，可確認去除顆粒后光罩/掩膜的狀態。