產品中心
產品詳情
查看大圖

  • 產品名稱：日本DNK科研曝光機MEMS用光刻機

  • 產品型號： MEMS用
  • 產品廠商：DNK 科研
  • 產品價格：0
  • 折扣價格：0
  • 產品文檔：
你添加了1件商品 查看購物車
簡單介紹：
主要特長 采用獨自的鏡面?鏡頭光學系統,實現**均勻的照射。 配備有可設定非接觸?面內均一間隙的間隙傳感器和對應多層曝光的顯微鏡、X?Y?θ軸對位臺的對位系統。 采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微細移動)能夠控制厚膜光刻膠的側壁傾斜角度,形成三維微細構造體。
詳情介紹：

光刻機介紹

曝光裝置  MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″ 

光源 超高壓水銀燈 ：500W or 1kW

曝光裝置 MA-1400  基板追大尺寸400 x 400mm

光源 超高壓水銀燈 ：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″

光源 超高壓汞燈：500W 或 1kW

?200mm/?150 mm 對應曝光裝置MA-4301M   材料SI 玻璃， 對齊精度自動對齊：+/- 1 μm（
峰值搜索）

?300mm對應曝光裝置MA-5301ML  光源超高壓汞燈：3.5kW  ?200mm規格也可對應

マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s  有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E  曝光掃描速度22.5mm/s  有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光裝置MX-1205  曝光掃描速度9/4.5mm/s  有效曝光區域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要規格

MUM系列
掩膜尺寸 Max 9″ x 9″ x t3.0 mm
基板尺寸 Max Φ8″(Wafer)
光源 超高壓水銀燈：500W or 1kW
外觀尺寸及重量 本體尺寸 W2120 x D1305 x H1850 mm
本體重量 640kg

產品留言
標題
聯系人
聯系電話
內容
驗證碼
點擊換一張
注：1.可以使用快捷鍵Alt+S或Ctrl+Enter發送信息!
2.如有必要,請您留下您的詳細聯系方式!

蘇公網安備 32050502000409號
精品国精品自拍自在线|色偷一区国产精品|91国在线啪精品一区|久久狠狠高潮亚洲精品|亚洲大成色www永久网站