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產品詳情
  • 產品名稱:塔瑪薩崎Otsuka大塚光譜儀

  • 產品型號:光譜橢圓計 FE-5000/5000S
  • 產品廠商:OTSUKA大塚電子
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簡單介紹:
除了能夠進行高精度薄膜分析的光譜橢圓測量外,我們還通過安裝測量角度的自動可變機制,支持各種薄膜。 除了傳統的旋轉分析儀方法外,還通過設置緩速板的自動解吸機制,提高了測量精度。
詳情介紹:
特點
  • 可在紫外可見(300~800nm)波長范圍內測量橢圓參數
  • 納米級多層薄膜的厚度分析
  • 使用 400ch 或更多多通道光譜快速測量橢圓光譜
  • 通過可變反射角度測量支持薄膜的詳細分析
  • 通過數據庫化光學常數和添加配方注冊功能,提高可操作性

 

測量項目
  • 橢圓參數(tan= 、cosΔ)測量
  • 光學常數 ( n : 折射率 , k : 消光系數 ) 分析
  • 厚度分析

 

測量對象
  • 半導體晶圓
    柵極氧化薄膜、氮化膜
    SiO
    2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN
    電阻的光學常數(波長色散)
  • 化合物半導體
    xGa(1-x)As 多層膜,非晶硅
  • FPD
    對準膜
  • 各種新材料
    DLC(Diamond Like Carbon)、超導薄膜、磁頭薄膜
  • 光學薄膜
    TiO
    2,SiO2,防反射膜
  • 光刻領域


  • g 線 (436nm)、h 線 (405nm) 、i 線 (365nm) 等各波長的 n,k 評價


類型表達式 FE-5000S FE-5000
樣本大小 高達 100x100mm *大 200x200mm
測量方法 旋轉分析儀*1
測量膜厚范圍(nd) 0.1nm~1μm
入射(反射)角度范圍 45~90° 45~90°
入射(反射)角度驅動方式 自動正弦桿驅動系統
入射點直徑*2 φ2.0 φ1.2sup*3
tanψ測量精度 ±0.01 或更少
cosΔ 測量精度 ±0.01 或更少
薄膜厚度的重復再現性 0.01% 或更少*4
波長范圍*5 300~800nm 300~800nm
測量光源 高穩定性 Xenon 燈*6
舞臺驅動系統 手動 手動/自動
加載器支持 不可以
尺寸、重量 650(W)×400(D)×593(H)mm
50kg
1300(W)×890(D)×1750(H)mm
350kg
*7

*1 偏振器可驅動,緩速板可拆卸,對不敏感帶有效。
*2 因短軸和角度而異。
*3 微點對應(可選)
*4 使用 VLSI 標準 SiO2 膜 (100nm) 時的值。
*5 選擇自動階段時的值。



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