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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹:
OTSUKA大塚電子橢圓偏振光譜儀代理 FE-5000塔瑪薩崎電子(蘇州)有限公司 FE-5000除了可實(shí)現高精度薄膜分析的橢圓偏振光譜外, FE-5000還可以通過(guò)實(shí)施自動(dòng)可變測量角度機制來(lái)處理所有類(lèi)型的薄膜。 除了傳統的旋轉分析儀方法外,通過(guò)安裝自動(dòng)延遲板分離機構提高了測量精度。
詳情介紹:
OTSUKA大塚電子橢圓偏振光譜儀代理 OTSUKA大塚電子塔瑪薩崎電子(蘇州)有限公司 FE-5000除了可實(shí)現高精度薄膜分析的橢圓偏振光譜外, FE-5000還可以通過(guò)實(shí)施自動(dòng)可變測量角度機制來(lái)處理所有類(lèi)型的薄膜。 除了傳統的旋轉分析儀方法外,通過(guò)安裝自動(dòng)延遲板分離機構提高了測量精度。
塔瑪薩崎電子代理OTSUKA大塚電子 FE-5000
測量對象
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半導體晶片
柵極氧化薄膜、氮化物薄膜
SiO2,Si x Oy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3罪xOy,多晶硅,硒化鋅,BPSG,TiN
光刻膠光學(xué)常數(波長(cháng)色散) -
化合物半導體
鋁x加語(yǔ)(1-x)作為多層,非晶硅 -
FPD
取向膜 -
各種新材料
DLC(類(lèi)金剛石碳)、超導薄膜、磁頭薄膜 -
光學(xué)薄膜
TiO2,SiO2,防反射膜 -
在 G 線(xiàn) (436nm)、H 線(xiàn) (405nm) 和 I 線(xiàn) (365nm)
等波長(cháng)下進(jìn)行光刻 N,K 評估
測量項目
- 橢圓參數 (tanψ, cosΔ) 測量
- 光學(xué)常數(n:折射率,k:消光系數)分析
- 膜厚分析
-
型 FE-5000S FE-5000 樣本量 *大 100x100mm *大 200x200mm 測量方法 旋轉分析儀法*1 測量膜厚度范圍(nd) 0.1納米~1微米 入射(反射)角度范圍 45~90° 45~90° 入射(反射)角度驅動(dòng)系統 自動(dòng)標志桿驅動(dòng)系統 入射光斑直徑*2 φ2.0 φ1.2蘇普*3 tanψ 測量精度 ±0.01以下 cosΔ 測量精度 ±0.01以下 薄膜厚度的可重復性 0.01%以下*4 波長(cháng)范圍*5 300~800nm 300~800nm 測量光源 高穩定性氙氣燈*6 舞臺驅動(dòng)系統 手動(dòng) 手動(dòng)/自動(dòng) 裝載機支持 壞 差強人意 尺寸、重量 650(寬)×400(深)×593(高)毫米
50公斤1300(寬)×890(深)×1750(高)毫米
350公斤*7*1 可以驅動(dòng)偏光片,可以安裝和拆卸對盲區有效的減速板。
*2 因短軸和角度而異。
*3 微光斑支持(可選) *4 此值是使用 VLSI 標準 SiO2 薄膜 (100 nm)
時(shí)的值。
*5 選擇自動(dòng)階段時(shí)的值。
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